PW2319芯片P溝道增強(qiáng)型MOSFET
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70m&Ome
一般說(shuō)明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應(yīng)用
電池保護(hù)
負(fù)荷開關(guān)
不間斷電源
絕對(duì)最大額定值（TA=25℃，除非另有說(shuō)明）
電氣特性
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分享 | 可編程晶振芯片幾個(gè)知識(shí)點(diǎn)
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