下,能射出的光只有入射角≤25.8度
空間立體角內的光,據報導,目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右,
,
芯片晶體的內部吸收,能射出到晶體外面光線的比例很少。據報導,目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣,芯片發出的光要透過封裝材料,傳送到空間,也要考慮材料對取光效率的影響。
,
提高LED產品封裝的取光效率,
提高n2的值,即提高封裝材料的折射率,以提高產品的臨界角,從而提高產品的封裝發光效率。
,封裝材料對光線的吸收要小。
提高出射光的比例,封裝的外形最好是拱形或半球形,這樣,光線從封裝材料射向空氣時,幾乎是垂直射到界面,因而不再產生全反射。
主要有兩
,一是芯片內部的反射
,二是封裝材料對光的反射,通過內、外兩
的反射
,來提高從芯片內部射出的光通比例,減少芯片內部吸收,提高功率LED成品的發光效率。從封裝
,功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上,支架式的反射腔
是采取電鍍方式提高反射效果,而基板式的反射腔
是采用拋光方式,有條件的還會進行電鍍
,但
兩種
方式受模具精度及工藝影響,
后的反射腔有
的反射效果,但并不理想。目前國內制作基板式的反射腔,
拋光精度不足或金屬鍍層的氧化,反射效果較差,這樣導致
光線在射到反射區后被吸收,無法按預期的目標反射至出光面,從而導致最終封裝后的取光效率偏低。
多
的研究和試驗,研制成一種具有自主知識產權的使用有機材料涂層的反射
工藝,通過這種工藝
,使得反射到載片腔內的光線吸收很少,能將大部分射到其上面的光線反射至出光面。這樣
后的產品取光效率與
之前相比可提高30%-50%。我們目前1W白光功率LED的光效可達40-50lm/W(在遠方PMS-50光譜分析測試儀器上測試結果),獲得了很好的封裝效果。
,發光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝
有關。
提高熒光粉激發藍色芯片的效率,首先熒光粉的選擇要合適,
激發波長、顆粒度大小、激發效率等,需全面考核,兼顧各個性能。其次,熒光粉的涂覆要均勻,最好是
發光芯片各個發光面的膠層厚度均勻,以免因厚度不均造成局部光線無法射出,
也可改善光斑的質量。
的散熱設計對提高功率型LED產品發光效率有著顯著的作用,
也是確保產品壽命和可靠性的前提。而設計
的出光通道,這里著重指反射腔、填充膠等的結構設計、材料選擇和工藝
,可以有效提高功率型LED的取光效率。對功率型白光LED
,熒光粉的選擇和工藝設計,對光斑的改善和發光效率的提高也至關重要。本文由www.jssjbk.com整理提供,部分內容來源于網絡,如有侵犯到你的權利請與我們聯系更正。容-源-電-子-網-為你提供技術支持
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