二、雙極型晶體管參數符號及其意義
Cc——-集電極電容
Ccb——-集電極與基極間電容
Cce——-發射極接地輸出電容
Ci——-輸入電容
Cib——-共基極輸入電容
Cie——-共發射極輸入電容
Cies——-共發射極短路輸入電容
Cieo——-共發射極開路輸入電容
Cn——-中和電容（外電路參數）
Co——-輸出電容
Cob——-共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容
Coe——-共發射極輸出電容
Coeo——-共發射極開路輸出電容
Cre——-共發射極反饋電容
Cic——-集電結勢壘電容
CL——-負載電容（外電路參數）
Cp——-并聯電容（外電路參數）
BVcbo——-發射極開路，集電極與基極間擊穿電壓
BVceo——-基極開路，CE結擊穿電壓
BVebo——- 集電極開路EB結擊穿電壓
BVces——-基極與發射極短路CE結擊穿電壓
BV cer——-基極與發射極串接一電阻，CE結擊穿電壓
D——-占空比
fT——-特征頻率
fmax——-最高振蕩頻率。當三極管功率增益等于1時的工作頻率
hFE——-共發射極靜態電流放大系數
hIE——-共發射極靜態輸入阻抗
hOE——-共發射極靜態輸出電導
h RE——-共發射極靜態電壓反饋系數
hie——-共發射極小信號短路輸入阻抗
hre——-共發射極小信號開路電壓反饋系數
hfe——-共發射極小信號短路電壓放大系數
hoe——-共發射極小信號開路輸出導納
IB——-基極直流電流或交流電流的平均值
Ic——-集電極直流電流或交流電流的平均值
IE——-發射極直流電流或交流電流的平均值
Icbo——-基極接地，發射極對地開路，在規定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流
Iceo——-發射極接地，基極對地開路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Iebo——-基極接地，集電極對地開路，在規定的反向電壓VEB條件下，發射極與基極之間的反向截止電流
Icer——-基極與發射極間串聯電阻R，集電極與發射極間的電壓VCE為規定值時，集電極與發射極之間的反向截止電流
Ices——-發射極接地，基極對地短路，在規定的反向電壓VCE條件下，集電極與發射極之間的反向截止電流
Icex——-發射極接地，基極與發射極間加指定偏壓，在規定的反向偏壓VCE下，集電極與發射極之間的反向截止電流
ICM——-集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。
IBM——-在集電極允許耗散功率的范圍內，能連續地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值
ICMP——-集電極最大允許脈沖電流
ISB——-二次擊穿電流
IAGC——-正向自動控制電流
Pc——-集電極耗散功率
PCM——-集電極最大允許耗散功率
Pi——-輸入功率
Po——-輸出功率
Posc——-振蕩功率
Pn——-噪聲功率
Ptot——-總耗散功率
ESB——-二次擊穿能量
rbb——-基區擴展電阻（基區本征電阻）
rbbCc——-基極-集電極時間常數，即基極擴展電阻與集電結電容量的乘積
rie——-發射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻
roe——-發射極接地，在規定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻
RE——-外接發射極電阻（外電路參數）
RB——-外接基極電阻（外電路參數）
Rc ——-外接集電極電阻（外電路參數）
RBE——-外接基極-發射極間電阻（外電路參數）
RL——-負載電阻（外電路參數）
RG——-信號源內阻
Rth——-熱阻
Ta——-環境溫度
Tc——-管殼溫度
Ts——-結溫
Tjm——-最大允許結溫
Tstg——-貯存溫度
td————延遲時間
tr——-上升時間
ts——-存貯時間
tf——-下降時間
ton——-開通時間
toff——-關斷時間
VCB——-集電極-基極（直流）電壓
VCE——-集電極-發射極（直流）電壓
VBE——-基極發射極（直流）電壓
VCBO——-基極接地，發射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VEBO——-基極接地，集電極對地開路，發射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEO——-發射極接地，基極對地開路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCER——-發射極接地，基極與發射極間串接電阻R，集電極與發射極間在指定條件下的最高耐壓
VCES——-發射極接地，基極對地短路，集電極與發射極之間在指定條件下的最高耐壓
VCEX——-發射極接地，基極與發射極之間加規定的偏壓，集電極與發射極之間在規定條件下的最高耐壓
Vp——-穿通電壓。
VSB——-二次擊穿電壓
VBB——-基極（直流）電源電壓（外電路參數）
Vcc——-集電極（直流）電源電壓（外電路參數）
VEE——-發射極（直流）電源電壓（外電路參數）
VCE(sat)——-發射極接地，規定Ic、IB條件下的集電極-發射極間飽和壓降
VBE(sat)——-發射極接地，規定Ic、IB條件下，基極-發射極飽和壓降（前向壓降）
VAGC——-正向自動增益控制電壓
Vn(p-p)——-輸入端等效噪聲電壓峰值
V n——-噪聲電壓
Cj——-結（極間）電容， 表示在二極管兩端加規定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容
Cjv——-偏壓結電容
Co——-零偏壓電容
Cjo——-零偏壓結電容
Cjo/Cjn——-結電容變化
Cs——-管殼電容或封裝電容
Ct——-總電容
CTV——-電壓溫度系數。在測試電流下，穩定電壓的相對變化與環境溫度的絕對變化之比
CTC——-電容溫度系數
Cvn——-標稱電容
IF——-正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規定的使用條件下，在正弦半波中允許連續通過的最大工作電流（平均值），硅開關二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩壓二極管正向電參數時給定的電流
IF（AV）——-正向平均電流
IFM（IM）——-正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發光二極管極限
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