六個可能讓MOS管失效的原因分析(圖文)
目前在市場應用方面，排名第一的是消費類電子電源適配器產品。而MOS管的應用領域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類適配器、LCD顯示器
將OCP功能一定要做精確細致。
在進行OCP點設計時，一般可能會取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據IC的保護電壓比如0.7V開始調試RSENSE電阻。有些有經驗的人會將檢測延遲時間、CISS對OCP實際的影響考慮在內。但是此時有個更值得關注的參數，那就是MOSFET的Td(off)。它到底有什么影響呢，我們看下面FLYBACK電流波形圖(圖形不是太清楚，十分抱歉，建議雙擊放大觀看)。
從圖中可以看出，電流波形在快到電流尖峰時，有個下跌，這個下跌點后又有一段的上升時間，這段時間其本質就是IC在檢測到過流信號執行關斷后，MOSFET本身也開始執行關斷，但是由于器件本身的關斷延遲，因此電流會有個二次上升平臺，如果二次上升平臺過大，那么在變壓器余量設計不足時，就極有可能產生磁飽和的一個電流沖擊或者電流超器件規格的一個失效。
3.合理的熱設計余量，這個就不多說了，各個企業都有自己的降額規范，嚴格執行就可以了，不行就加散熱器。
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PL3902 30V N通道MOSFET
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晶振定義是什么？晶振怎么分類
晶振又稱石英晶體振蕩器，晶振是一種利用應時晶體(石英晶體)的壓電效應制成的諧振器件。
晶振是指從應時晶體上按一定方位切割下來的薄片，是時鐘電路中最重要的元件。晶振的工作原理是在一定狀態下，機械能和電能可以通過內部振蕩電路相互轉換。
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TDM3478 N-通道增強模式MOSFET芯片
概述
TDM3478使用先進的溝槽技術，提供優良的RDS（ON）和低柵極電荷。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中使用。
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案例分享：家用電磁爐元器件散熱方式與導熱材料應用
兆科電子的熱管理材料能夠很好地解決電磁爐電路板和線圈盤等發熱元器件在復雜環境的可靠性和電磁兼容性問題。鑒于電磁爐對導熱材料的高導熱需求，兆科主要推薦的材料是導熱硅膠片和導熱硅脂產品來解決散熱方案。
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HT7181 3.7V/7.4V升16V內置MOS大功率升壓IC解決方案
DC-DC升壓電路在電子電路中是很常見的，無論是匹配不同器件的工作電壓需要還是為了提高足夠的輸出功率，都必須用到升壓電路。特別是便攜式的電子產品，電源是電池供電，如單
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HT7180 3.7V升12V/2A內置MOS大電流升壓IC解決方案
針對升壓值13V以下的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成10A開關管的12.8V輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC：HT7180。HT7180采用獨到的電路研發技術以及先進的半導體工藝制程，基于SOP8封裝，工作效率高達90%以上，無需外加散熱器，3.7V輸入升壓到12V，可穩定輸出2A電流。
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HT7179 12V升24V內置MOS大電流升壓IC解決方案
深圳市永阜康科技有限公司針對大功率的DC-DC升壓應用需求，推廣一款集成15A開關管的26.8V、120W輸出、大電流非同步DC-DC升壓IC-HT7179。HT7179采用獨到的電路研發技術以及先進的半導體工藝，重載時高達93%以上的工作效率，無需外加散熱器，升壓到26.8V，可穩定輸出120W。
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MOSFET的擊穿有哪幾種？
Source、Drain、Gate —— 場效應管的三極：源級S、漏級D、柵級G。（這里不講柵極GOX擊穿了啊，只針對漏極電壓擊穿）
先講測試條件，都是源柵襯底都是接地，然后掃描漏極電壓，直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看，它的漏電通道有三條：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。
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MOSFET和三極管ON狀態的區別？
三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅由Vce來決定，即不能采用飽和Rce來表示(因Rce會變化)。由于飽和狀態下Vce較小，所以三極管一般用飽和Vce表示。
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MOS管驅動是指什么
在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。
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如何識別正品原裝電子器件
一般正規廠商生產的電子元器件都會在元器件的空白處標明廠家、元器件編號和生產日期等信息。
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簡易自制金屬探測器電路圖，只需少量元器件即可制作成
金屬探測器電路圖 金屬探測器可應用很多領域，當然，金屬探測器根據工作原理的不同，也可以分為很多種的類型電路，今天我們主要介紹的是用集成電路555制作的金屬探測器，由
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PW2308芯片，N溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2308采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON）、低柵極充電和低至4.5V的柵極電壓運行。該器件適合用作電池保護或其他開關應用。
特征 VDS=60V，ID=5A
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PW2337芯片，P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2337采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-100V，ID=-0.9A
RDS（開）<650m
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PW2309芯片，P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2309采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-60V，ID=-3A
RDS（開）<180m&Om
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PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
一般說明
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70m&Ome
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場效應晶體管分析解說
場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點，因而也被廣泛應用于各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。
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晶體管國內外命名方法講座
國內命名方法：3DG1815-Y,第一部分用阿拉伯字表示器件的電極數目 2：表示二極管；3：表示三極管；
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如何應對電子元器件行業對環境的影響
電子行業對環境造成了影響，從正面來看，在照明、電機控制、傳感器和其他眾多應用當中增加電子元器件的使用大幅提高了能效，以及對環境進行監測和控制的能力。而從負面來看，電子產品的普及導致垃圾填埋場充斥著大量電子垃圾，并且向我們的環境排放有害物質。人們已經對該行業內的多種理念和趨勢進行了探索。
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電子元器件一般到哪里買？
以前商鋪的專業性應該是一項要考慮的因素，當我們走過電子專業商鋪時，如果發現玻璃柜中各種各樣的電路板或者各種形狀的電阻接頭時，我們可以安心地走進去購買電路板或者按
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